IT之家 7 月 1 日消息，臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》近日?qǐng)?bào)道稱，預(yù)計(jì)用于谷歌明年旗艦智能手機(jī)的 Tensor G5 芯片將基于臺(tái)積電 3nm 制程，已成功進(jìn)入流片階段。

　　

▲ 谷歌 Tensor SoC流片是芯片正式量產(chǎn)前的關(guān)鍵階段，用小規(guī)模的芯片試產(chǎn)檢驗(yàn)芯片設(shè)計(jì)是否正確。對(duì)于首次完全自研手機(jī) SoC 的谷歌而言，如果順利通過流片，那離 Tensor G5 的成功就近了一大步。

 

　　Tensor G5 的全自研，將意味著谷歌可完成對(duì) Pixel 設(shè)備從芯片到設(shè)備整機(jī)再到操作系統(tǒng)乃至應(yīng)用程序的全方位掌控，有助于實(shí)現(xiàn)更深度的軟硬件整合。

　　最終，谷歌能更快將 AI 應(yīng)用部署在自家設(shè)備上，打造差異化產(chǎn)品，從而在競(jìng)爭(zhēng)激烈的智能手機(jī)市場(chǎng)中脫穎而出。

　　

 

　　根據(jù)IT之家此前報(bào)道，谷歌 Tensor G5 芯片代號(hào) Laguna Beach“拉古納海灘”，將通過臺(tái)積電 InFo_PoP 晶圓級(jí)扇出封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn) SoC 和 DRAM 的堆疊，支持 16GB 以上內(nèi)存。