大摩預(yù)計(jì)，3nm的Rubin GPU將在2025年下半年進(jìn)入流片階段，較之前預(yù)定時(shí)間提前半年。根據(jù)供應(yīng)鏈調(diào)查，Rubin的芯片尺寸將是Blackwell的兩倍，包含四個(gè)計(jì)算芯片，是Blackwell的兩倍。

　　摩根士丹利(130.44, -0.59, -0.45%)表示，英偉達(dá)下一代Rubin GPU已提前半年開(kāi)始準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)推出時(shí)間將從2026年上半年提前至2025年下半年。由于用上3nm技術(shù)、CPO(共同封裝光學(xué)元件)和HBM4(第六代高頻寬內(nèi)存)，新一代GPU的芯片面積將是上一代Blackwell的兩倍，預(yù)計(jì)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司將受益。

　　大摩分析師Charlie Chan在12月2日的報(bào)告中表示，雖然Blackwell芯片的產(chǎn)出仍在增長(zhǎng)，考慮到新芯片的復(fù)雜性，臺(tái)積電(198.89, 4.49, 2.31%)和供應(yīng)鏈已在為英偉達(dá)下一代Rubin芯片的推出做準(zhǔn)備。3nm的Rubin GPU預(yù)計(jì)將在2025年下半年進(jìn)入流片階段，較之前預(yù)定時(shí)間提前半年左右。

　　大摩表示，由于3nm工藝的遷移、CPO和HBM4的采用，Rubin將是一款強(qiáng)大的芯片。根據(jù)供應(yīng)鏈調(diào)查，Rubin的芯片尺寸將是Blackwell的近兩倍，Rubin芯片可能包含四個(gè)計(jì)算芯片，是Blackwell的兩倍。

　　分析師目前預(yù)計(jì)，由于芯片面積變大，臺(tái)積電將在2026年進(jìn)一步擴(kuò)展其CoWoS(Chip on Wafer Substrate)產(chǎn)能。公司預(yù)計(jì)將在2025年中期開(kāi)始向設(shè)備供應(yīng)商下達(dá)2026年訂單，具體取決于AI資本支出的可持續(xù)性。

　　供應(yīng)鏈方面，分析師認(rèn)為ASMPT在Rubin的TCB工具認(rèn)證上略有滯后。TCB(熱壓焊接)是Rubin GPU的CoW(Chip on Wafer)所需的工藝。K&S此前宣布，已于11月收到臺(tái)積電的無(wú)焊料TCB訂單用于CoW，而ASMPT表示仍在與臺(tái)積電進(jìn)行CoW認(rèn)證的溝通。

　　大摩認(rèn)為，ASMPT仍有機(jī)會(huì)在今年年底前完成認(rèn)證，并且對(duì)于公司設(shè)備低量采購(gòu)可能會(huì)在2025年下半年實(shí)現(xiàn)。行業(yè)調(diào)查顯示，臺(tái)積電首批關(guān)于CoW無(wú)焊料TCB的訂單通過(guò)K&S訂購(gòu)的工具較少，預(yù)計(jì)2025年將不到10臺(tái)。隨著Rubin GPU預(yù)計(jì)將在2026年進(jìn)入量產(chǎn)，訂單量可能會(huì)在2026年增大。

　　新GPU帶來(lái)的另一結(jié)構(gòu)性機(jī)會(huì)在于測(cè)試時(shí)間的延長(zhǎng)。大摩分析師表示，目前Blackwell(測(cè)試時(shí)間比Hopper長(zhǎng)三倍)和MI355(長(zhǎng)兩倍)都需要更長(zhǎng)的測(cè)試時(shí)間。由于需求強(qiáng)勁，新的Advantest測(cè)試儀的交貨期從3個(gè)月延長(zhǎng)至6個(gè)月。

　　從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，一些AI專用集成電路(ASIC)，如AWS的3nm AI加速器，可能開(kāi)始進(jìn)行燒機(jī)測(cè)試，根據(jù)供應(yīng)鏈調(diào)查，Blackwell的全部最終測(cè)試將繼續(xù)在KYEC進(jìn)行，預(yù)計(jì)到2025年，B200/300(雙芯片版本)的出貨量可能會(huì)達(dá)到約500萬(wàn)臺(tái)，基于臺(tái)積電的CoWoS-L產(chǎn)能。

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