臺(tái)積電于 12 月 29 日在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)舉辦 3nm 量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，正式宣布啟動(dòng) 3nm 大規(guī)模生產(chǎn)。三星幾個(gè)月前開(kāi)啟了 N3(3nm)工藝芯片制造，但臺(tái)積電的良率明顯更好。

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　　據(jù) Business Next 報(bào)道，專(zhuān)門(mén)研究半導(dǎo)體的分析師和專(zhuān)家估計(jì)，目前臺(tái)積電的 N3 良率可能低至 60% 至 70%，或者高至 75% 至 80%，這對(duì)第一批產(chǎn)品來(lái)說(shuō)已經(jīng)相當(dāng)好。同時(shí)，金融分析師 Dan Nystedt 在推特上表示，臺(tái)積電目前 N3 良率與 N5 良率在上升初期相似，其良率可能高達(dá) 80%。

　　相比之下，三星代工在早期階段的 3GAE 工藝良率在 10% 到 20% 不等，而且沒(méi)有改善。

　　由于臺(tái)積電目前商業(yè)化生產(chǎn) N3 設(shè)計(jì)數(shù)量有限(據(jù)推測(cè)幾乎不超過(guò)三塊 IC)，而且良率相關(guān)數(shù)據(jù)是該代工廠及其客戶(hù)的商業(yè)機(jī)密，因此還無(wú)法對(duì)臺(tái)積電的 N3 良率有多高或多低做出具體判斷。

　　此外，考慮到圍繞初始 N3 節(jié)點(diǎn)(又稱(chēng) N3B)的傳言，蘋(píng)果可能是唯一一家采用這項(xiàng)技術(shù)的公司，其他開(kāi)發(fā)商預(yù)計(jì)將使用更穩(wěn)定一些的 N3E 改進(jìn)工藝。

　　IT之家獲悉，臺(tái)積電將采用產(chǎn)能有限 N3 節(jié)點(diǎn)工藝，然后在 2023 年晚些時(shí)候轉(zhuǎn)向更穩(wěn)定、更高效的全面生產(chǎn)的 N3E，隨后在 2024 年轉(zhuǎn)向 N3P，這一年臺(tái)積電還將在新竹工廠將其 2nm GAA 工藝投入試生產(chǎn)，并在 2025 年進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。

　　臺(tái)積電官網(wǎng)顯示，其 3nm 制程工藝是 5nm 之后的另一個(gè)全世代制程，具備最佳 PPA 及電晶體技術(shù)。同 5nm 制程工藝相比，3nm 制程工藝的邏輯密度將增加約 70%，在相同功耗下速度提升 10-15%，或者在相同速度下功耗降低 25-30%。
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